日立金属ft-3纳米晶（帅哥稀有）

发布时间：2023-03-27 浏览次数：次

本篇文章给大家谈谈日立金属ft-3纳米晶，以及帅哥稀有对应的知识点，希望对各位有所帮助。

非晶合金的发展简史

1960年美国Duwez教授发明用快淬工艺制备非晶态合金为始。其间，非晶软磁合金的发展大体上经历了两个阶段：**个阶段从1967年开始，直到1988年。1984年美国四个变压器厂家在IEEE会议上展示实用非晶配电变压器则标志着**阶段达到高潮，到1989年，美国AlliedSignal公司已经具有年产6万吨非晶带材的生产能力，全世界约有100万台非晶配电变压器投入运行，所用铁基非晶带材几乎全部来源于该公司。从1988年开始，非晶态材料发展进入第二阶段。这个阶段具有标志性的事件是铁基纳米晶合金的发明。1988年日本日立金属公司的Yashiwa等人在非晶合金基础上通过晶化处理开发出纳米晶软磁合金（Finemet）。1988年当年，日立金属公司纳米晶合金实现了产业化，并有产品推向市场。1992年德国VAC公司开始推出纳米晶合金替代钴基非晶合金，尤其在网络接口设备上，如ISDN，大量采用纳米晶磁芯制作接口变压器和数字滤波器件。

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超微晶合金高频磁特性检测中的波形调理

方案，在此基础上完成了高频下超微晶合金磁滞回线的动态测量并对其损耗特性进行了分析。

1 超微晶高频磁特性测量过程中非对称波形畸变的产生原因

根据IEC-60404-10的建议，本文采用环形样件搭建了超微晶高频磁特性实验系统。***初的实验原理图如图1所示。功放的信号源由NI公司的多功能数据采集卡提供。初级电流与次级感应电压分别由示波器电流探头与电压探头获得。由于当磁场较小时，两个信号都非常弱，信号先由前置电压放大器SR560进行放大，然后由示波器进行采集。示波器采样率高达1 GHz，保证了高频情况下也能得到

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足够多的采样点。样件中的磁通密度B与磁场强度H可以由下式获得：

B=-■■u2dt（1）

H=■（2）

式中：N1、N2——初级与次级绕组的匝数；

S、lm——磁芯的截面积与磁路有效长度；

I1——励磁电流；

u2——次级感应电压。

如图2所示，在测试的过程中，在激磁电压保证正弦的条件下，超微晶合金的励磁电流出现了非对称分量，并且随着电压升高，次级电压波形也出现了不同程度的畸变。这一非对称分量反映到磁场量上就会形成一个非对

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称的磁滞回线，从而对损耗的计算产生一定的误差。

然而，这一非对称的磁场分量并不是一成不变的，它随着磁通密度的大小而改变。在励磁电压保证正弦对称的条件下仍出现一个很小的直流磁场偏置。产生这种现象的原因十分复杂，归纳起来主要有3点：1）超微晶合金具有超高的磁导率，任何空间中微弱的偏置磁场都会对实验产生影响。2）虽然电压对称，但是超微晶磁化在测试过程中初级绕组浮地，信号源的地与超微晶测试系统的地有电压差，从而产生非对称电流，***终引起直流偏磁。3）超微晶合金本身对退火十分敏感，不同的退火条件对材料磁性能影响很大。在退火过程中，材料可能存在非对称的应力，从而导致正向磁化与负向磁化的磁导

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率不同，***终反映在激磁电感的非对称性上。

由于这种波形的非对称畸变影响因素较多，即使在实验电路中添加隔离变压器，也不能很好地滤除直流磁场的影响。

2 对超微晶合金高频实验系统的改进

2.1 硬件测试系统的改进

考虑到波形的非对称畸变实际上是一个直流偏磁，要消除这一现象需人为产生一个直流磁场来补偿掉材料本身不对称而产生的直流偏置。改进后的实验系统如图3所示。

为了更好地实现波形的控制，NI PXI控制器被应用到测控系统中，通过对采集来的信号在LabVIEW中进行处理，实现了全自动的测

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量。在整个系统中，额外添加了一套直流绕组，通过观察实际测试过程中波形的偏移量，调节直流电流的输出，产生一个相反的磁场，从而达到直流偏磁补偿的目的。图中L为阻尼电抗，对直流侧的电流分量起到抑制作用。在测试过程中，电流探头与电压探头需要加装前置放大以满足采集系统的输入范围。为了保证磁通密度B一直为正弦变化，基于时域的波形迭代算法被应用在整个测控系统中。

3 结束语

本文对超微晶高频磁特性测量过程中所产生的一些实验问题作了一些探讨。***先，分析了在

测试过程中产生波形非对称畸变的原因；其

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次，在此基础上对整体实验系统的软硬件进行了重新设计，提出了第3绕组补偿以及一种基于时域反馈迭代算法，很好的补偿了波形；***后，测量了日立金属所提供的FT-3M磁芯的磁滞回线与损耗曲线，验证了方法的可行性。参考文献

[1] WAIDE P C，BRUNNER U. Energy-efficiency policy opportunities for electric motor-driven systems[Z]. Paris：International Energy Agency，2011：126-136. [2] 陈龙，汪友华，赵浛宇，等. 超微晶合金旋转磁特性测量用激磁装置的设计与优化[J]. 电工技术学报，2016，31（22）：19-27.

[3] PROCHAZKA R，HLAVACEK J，DRAXLER K. Magnetic circuit of a high-vo

第 6 页

ltage transformer up to10 kHz[J]. Magnetics IEEE Transactions，2015，51（1）：1-4. [4] LIU X J，WANG Y H，ZHU J G，et al. Calculation of core loss and copper loss in amorphous/nanocrystalline

core-based high-frequency transformer[J]. Aip Advances，2016，6（5）：4167-4182.

[5] 赵争菡，汪友华，凌跃胜，等. 大容量高频变压器绕组损耗的计算与分析[J]. 电工技术学报，2014，29（5）：261-264，

270.

[6] SCHWENK H，BEICHLER J，LOGES W，et al. Actual and future developments

第 7 页

of nanocrystalline magnetic materials for common mode chokes and transformers[C]∥International Exhibition and Conference for Power Electronics，Intelligent Motion，Renewable Energy and Energy Management Proceedings，2015：1-8.

[7] LIU Y，HAN Y B，LIU S W，et al. Pulse magnetic properties measurement and

characterization of fe-based nanocrystalline cores for high-voltage pulse magnetics applications[J]. Power Electronics IEEE Transactions，2015，30（12）：6883-6896.

第 8 页

[8] MANYAGE M J，PILLAY P. New epstein frame for core loss measurements at high frequencies and high flux densities[C]∥Industry Applications Society Annual Meeting，

2008. IAS’08. IEEE，2008：1-6.

[9] RAGUSA C，FIORILLO F. A three-phase single sheet tester with digital control of flux loci based on the contraction mapping principle[J]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials，2006（304）：568-570.

[10] 薛刚，李永建，曹磊，等. 磁性材料三维磁特性传感信号检测技术中关键问题的研究与分析[J]. 电工电能新技术，2016（5）：19-22，80.

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超微晶磁环降低纹波的原因

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晶体管结构的边缘效应有哪些

（一）晶体管的结构特性

1．晶体管的结构??晶体管内部由两PN结构成，其三个电***分别为集电***（用字母C或c表示），基***（用字母B或b表示）和发射***（用字母E或e表示）。晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B***之间）和发射结（B、E***之间），发射结与集电结之间为基区。

根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射***箭头（代表集电***电流的方向）不同。PNP型晶体管的发射***箭头朝内，NPN型晶体管的发射***箭头朝外。

2．三***管各个电***的作用及电流分配??晶体管三个电***的电***的作用如下：

发射***（E***）用来发射电子；

基***（B***）用来控制E***发射电子的数量；

集电***（C***）用业收集电子。

晶体管的发射***电流IE与基***电流IB、集电***电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC

3．晶体管的工作条件??晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基***电流发生变化时，其集电***电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基***加入一个较小的信号，则其集电***将会输出一个较大的信号。

晶体管的基本工作条件是发射结（B、E***之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（B、C***之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。

晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压，即硅管为0.6~0.7V，锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。

4．晶体管的工作状态??晶体管有截止、导通和饱和三种状态。

在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各***电流几乎为0。

当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电***均有工作电流产生（IE=IB+IC）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基***电流IB增大时，集电***电流IC和发射***电流IE也会随之增大。

当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，锗管等于或略高于0.3V0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电***电流IC将处于较大的恒定状态，且已不受基***电流IB控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电***与发射***之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。

（二）高频晶体管

高频晶体管（指特征频率大于30MHZ的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。

常用的国产高频小功率晶体管有3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数。

常用的进口高频小功率晶体管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、9011~9015、S9011~S9015、TEC9011~TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、2SC1959、2SA673、2SC1213等型号。?

??2．高频中、大功率晶体管??高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。

常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A~3DA87E、3DA88A~3DA88E、3DA93A~3DA93D、3DA151A~3DG151D、3DA1~3DA5、3DA100~3DA108、3DA14A~3DA14D、3DA30A~3DA30D、3DG152A~3DG152J、3CA1~3CA9等型号。表5-3是各管的主要参数。

常用的进口高频中、大功率晶体管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。

（三）超高频晶体管

超高频晶体管也称微波晶体管，其频率特性一般高于500MHZ，主要用于电视、雷达、导航、通信等领域中处理微波波段（300MHZ以上的频率）的信号。

1．国产超高频晶体管??常用的国产超高频晶体管有3AG95、3CG15A~3CG15D、3DG56（2G210）、3DG80（2G211、2G910）、3DG18A~3DG18C、2G711A~2G711E、3DG103、3DG112、3DG145~3DG156、3DG122、3DG123、3DG130~3DG132、3DG140~3DG148、3CG102、3CG113、3CG114、3CG122、3CG132、3CG140、3DA89、3DA819~3DA823等型号。

2．进口超高频晶体管??常用的进口超高频晶体管有2SA130、2SA1855、2SA1886、2SC286~2SC288、2SC464~2SC466、2SD1266、BF769、BF959等型号。

（四）中、低频晶体管

低频晶体管的特征频率一般低于或等于3MHZ，中频晶体管的特征频率一般低于30MHZ。

1．中、低频小功率晶体管??中低频小功率晶体管主要用于工作频率较低、功率在1W以下的低频放大和功率放大等电路中。

????常见的国产低频小功率晶体管有3AX1~3AX15、3AX21~3AX25、3AX31、3BX31、3AX81、3AX83、3AX51~3AX55、3DX200~3DX204、3CX200~3CX204等型号，表5-7是各管的主要参数。

常用的进口中、低频小功率晶体管有2SA940、2SC2073、2SC1815、2SB134、2SB135、2N2944~2N2946等型号，各管的主要参数见表5-8。

2．中、低频大功率晶体管??中、低频大功率晶体管一般用在电视机、音响等家电中作为电源调整管、开关管、场输出管、行输出管、功率输出管或用在汽车电子点火电路、逆变器、不间断电源（UPS）等系统中。

常用的国产低频大功率晶体管有3DD102、3DD14、3DD15、3DD52、DD01、DD03、D74、3AD6、3AD30、3DA58、DF104等型号。

常用的进口中、低频大功率晶体管有2SA670、2SB337、2SB556K、2SD553Y、2SD1585、2SC1827、2SC2168、BD201~BD204等型号。

（五）互补对管

为了提高功率放大品的输出功率和效率，减小失真，功率放大器通常采用推挽式功率放大电路，即由两只互补晶体管分别放大一个完整正弦波的正、负半周信号。这要求两只互补晶体管的材料相，?，性能参数（例如耗散功率PCM、集电***电流ICM、反向电压VCBO、电流放大系数hFE、特征频率fT等）也要尽可能一致使用前应进行挑选“配对”。

互补对管一般采用异***性对管，即两只晶体管一只为NPN型管，另一只为PNP型管。

1．大功率互补对管??功率放大器中常用大功率互补对管及其主要参数。

2．中、小功率互补对管??功率放大器等电路中常用的中。

（六）开关晶体管

开关晶体管是一种饱和与截止状态变换速度较快的晶体管，广泛应用于各种脉冲电路、开关电路及功率输出电路中。

开关晶体管分为小功率开关晶体管和高反压大功率开关晶体管等。

1．小功率开关晶体管??小功率开关晶体管一般用于高频放大电路、脉冲电路、开关电路及同步分离电路等。

常用的国产小功率开关晶体管有3AK系列3CK系列和3DK系列，表5-13是各管的主要参数。

2．高反压大功率开关晶体管??高反压大功率开关晶体管通常均为硅NPN型，其反向电压VCBO高于800V，主要用于彩色电视机、电脑显示器中作开关电源管、行输出管或用于汽车电子点火器、电子镇流器、逆变器、不间断电源（UPS）等产品中。

常用的高反压大功率开关晶体管有2SD820、2SD850、2SD1401、2SD1403、2SD1432~2SD1433、2SC1942等型号。

（七）带阻尼行输出管

带阻尼行输出管是将高反压大功率开关晶体管与阻尼二***管、保护电阻封装为一体构成的特殊电子器件，主要用于彩色电视机或电脑显示器中。

带阻尼行输出管有金属封装（TO-3）和塑封（TO-3P）两种封装形式。

（八）差分对管

差分对管也称孪生对管或一体化差分对管，它是将两只性能参数相同的晶体管封装在一起构成的电子器件，一般用在音频放大器或仪器、仪表中作差分输入放大管。

差分对管有NPN型和PNP型两种结构。常见的国产NPN型差分对管有3DG06A~3DG06D等型号。PNP型差分对管有3CSG3、ECM1A等型号。

常见的进口NPN型差分对管有2SC1583等型号，PNP型差分对管有2SA798等型号。

（九）达林顿管

达林顿管也称复合晶体管，具有较大的电流放大系数及较高的输入阻抗。它又分为普通达林顿管和大功率达林顿管。

1．普通达林顿管??普通达林顿管通常由两只晶体管或多只晶体管复合连接而成，内部不带保护电路，耗散功率在2W以下。图5-9是普通达林顿管的基本电路。

普通达林顿管一般采用TO-92塑料封装，主要用于高增益放大电路或继电器驱动电路等。常用的普通达林顿管有PN020、MP-SA6266等型号。

2．大功率达林顿管??大功率达林顿管在普通达林顿管的基础上，增加了由泄放电阻和续流二***管组成的保护电路，稳定性较高，驱动电流更大。

大功率达林顿管一般采用TO-3金属封装或采用TO-126、TO-220、TO-3P等外形塑料封装，主要用于音频功率放大、电源稳压、大电流驱动、开关控制等电路。?

（十）带阻晶体管

???? ?带阻晶体管是将一只或两只电阻器与晶体管连接后封装在一起构成的，作反相器或倒相器，广泛应用于电视机、影碟机、录像机等家电产品中。其封装外形有EM3、UMT、SST（美国或欧洲SOT-23）、SMT（SC-59/日本SOT-23）、MPT（SOT-89）、FTR和TO-92等，耗散功率为150~400mW。

1．带阻晶体管的电路图形符号及文字符号??带阻晶体管目前尚无统一标准符号，在不同厂家的电子产品中电路图形符号及文字符号的标注方法也不一样。例如，日立、松下等公司的产品中常用字母“QR”来表示，东芝公司用字母“RN”来表示，飞利浦及NEC（日电）等公司用字母“Q”表示，还有的厂家用“IC”表示，国内电子产品中可以使用晶体管的文字符号，即用字母“V”或“VT”来表示。

2．常用的带阻晶体管??常用的进口带阻三***管有DTA系列、DTB系列、DTC系列、DTD系列、MRN系列、RN系列、UN系列、KSR系列、FA系列、FN系列、GN系列、GA系列、HC系列、HD系列、HQ系列、HR系列等多种。常用的国产带阻晶体管有GR系列等。表5-18是带阻晶体管（除GR系列为国产的，其余均为进口的）内部电阻器的电阻值。?

（十一）光敏三***管

????? 光敏三***管是具有放大能力的光-电转换三***管，广泛应用于各种光控电路中。

????? 在无光照射时，光敏三***管处于截止状态，无电信号输出。光当信号照射其基***（受光窗口）时，光敏三***管将导通，从发射***或集电***输出放大后的电信号。

??1．光敏三***管的外形及符号??光敏三***管在电路中的文字符号与普通三***管相同，用字母“V”或“VT”表示。?

????? 光敏三***管有塑封、金属封装（顶部为玻璃镜窗口）环氧树脂、陶瓷等多种封装结构，引脚也分为两脚和三脚型。

????? 2．常用的光敏三***管??常用的国产光敏三***管以硅NPN型为主有3DU11~3DU13、3DU21~3DU23、3DU31~3DU33、3DU51A~3DU51C、3DU51~3DU54、3DU111~3DU113、3DU121~3DU123~3DU131~3DU133、3DU311~3DU333、3DU411~3DU433、3DU80等型号，表5-19是各管的主要参数。

（十二）磁敏三***管

???? ?磁敏三***管是一种对磁场敏感的磁-电转换器件，它可以将磁信号转换成电信号。

???? ?常见的磁敏三***管有3CCM和4CCM等型号。3CCM采用双***型结构，具有正、反向磁灵敏度***性，有确定的磁敏感面（通常用色点标注）。

????? 磁敏三***管一般用于电动机转速控制、防盗等各种磁控电路中。图5-18是磁敏三***管的应用电路。

（十三）恒流三***管

??? ??恒流三***管是一种可以调节和稳定电流的特殊器件。它的三个电***分别是阳***（正***）A阴***（负***）C和控制***G，通过改变恒流三***管控制***的电压，即可调节恒流值的大小。

????? 恒流三***管一般用于限流保护和恒流标准电源，也可在直流电源等电路中作恒流器件。常用的恒流三***管有3DH010~3DH050等型号，其恒流范围为5~500Ma，工作电压为5~80V。

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